原裝64G NAND MTFC64GAKAEYF-4M IT存儲芯片

e.MMC MLC NAND閃存64 GB容量

2.7V至3.6V供電電壓

封裝：153-Ball LFBGA

MTFC64GAKAEYF-4M存儲芯片是用來存儲程序和數(shù)據(jù)的部件，有了存儲器，才有記憶功能，才能保證正常工作。主存儲芯片又稱內(nèi)存儲器（簡稱內(nèi)存，或稱記憶體）。

DRAM就是我們一般在用的內(nèi)存，而NAND Flash 閃存，它在做的事情其實是硬盤。

易失性存儲器（VM）：電源開啟時資料存在，電源關(guān)閉則資料立刻流失（資料揮發(fā)掉），例如：SRAM、DRAM、SDRAM、DDR-SDRAM 等。

非易失性存儲器（NVM）：電源開啟時資料存在，電源關(guān)閉資料仍然可以保留，例如：ROM、PROM、EPROM、EEPROM、Flash ROM、FRAM、MRAM、RRAM、PCRAM 等。

靜態(tài)隨機存取存儲器（SRAM）

以 6 個晶體管（MOS）來儲存 1 個位（1bit）的資料，而且使用時“不需要”周期性地補充電源來保持記憶的內(nèi)容，故稱為“靜態(tài)”（Static）。

動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）

以一個晶體管（MOS）加上一個電容（Capacitor）來儲存一個位（1bit）的資料，而且使用時“需要”周期性地補充電源來保持記憶的內(nèi)容，故稱為“動態(tài)”（Dyc）。

同步動態(tài)隨機存取存儲器（SDRAM）

CPU與主機板上的主存儲器（SDRAM）存取資料時的“工作時脈”（Clock）相同，故稱為“同步”（Synchronous）。

SRAM 比較快、 DRAM 比較慢；SRAM 比較貴、DRAM 比較便宜。

Flash（閃存）由于具備了重量輕、體積小、功率低等優(yōu)點，被應(yīng)用在各類電子產(chǎn)品的硬盤上。Flash 又可以分成 NOR 型 Flash 和 NAND 型 Flash。

NOR Flash 比 NAND Flash 更早導(dǎo)入市場。讀取的速度較快，但寫入的速度慢、價格也比 NAND Flash 貴。

NAND Flash 寫入的速度快、價格較低，故目前以 MTFC64GAKAEYF-4M NAND Flash 為普遍。 另外，固態(tài)硬盤SSD也是以 NAND 型 Flash 為基礎(chǔ)所建構(gòu)的儲存裝置。

易失性存儲分成 DRAM 和 SRAM。

SRAM 更快但價格更貴，所以主存儲器多用 DRAM、快取多用 SRAM。

Flash 又分成 NOR Flash 與 NAND Flash（ 64G MTFC64GAKAEYF-4M）。